镉(Cd)在小麦中的积累及其向食物链的转移是一个全球性的重大环境问题。为明确硅肥缓解小麦镉毒害的生理机制,以小麦品种‘百农607’为材料,采用水培方法,设置对照(CK)、镉处理(Cd, 44.4 µmol/L)、硅处理(Si, 1 mmol/L)及硅镉复合处理(Si+Cd, 1 mmol/L Si+44.4 µmol/L Cd),研究硅对镉胁迫下小麦幼苗生长、根系发育、镉积累与抗氧化系统的缓解效应。结果表明,与CK相比,Cd处理显著抑制小麦幼苗生长,小麦幼苗株高、鲜重、干重、根表面积和根体积分别降低4.3%、26.5%、42.9%、27.4%和35.4%。与Cd处理相比,Si+Cd处理可显著缓解镉毒害,小麦鲜重、干重、根长、根表面积和根体积分别提高29.2%、37.5%、18.4%、26.8%和37.5%;同时,与Cd处理相比,Si+Cd处理显著改变镉在植株体内的分布:地上部茎和叶中镉含量分别降低3.3%和18.4%,而根部镉固持增加15.7%,降低镉由根向地上部的转运系数。此外,与Cd处理相比,Si+Cd显著降低镉胁迫引起的根系丙二醛(MDA)含量(降幅27.5%),调节过氧化物酶(POD)活性,有效减轻氧化损伤。综上,施加硅肥可通过促进根系发育、抑制镉向上转运以及增强抗氧化防御系统,有效缓解小麦幼苗的镉胁迫。本研究结果可为在中度和轻度镉污染土壤上,通过施用硅肥来减轻或缓解小麦伤害,保障小麦安全生产提供理论依据和技术指导。